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4英寸氮化鎵復合襯底

產品概述

4英寸氮化鎵復合襯底

GaN/ Al2O3 Substrates (4")

產品型號

Item

ST-ncY-Φ100

ST-ncZ-Φ100

ST-ncH-Φ100

尺寸

Size (mm)

Φ100.0±0.5 (4")

襯底結構

Substrate Structure

GaN on Sapphire(0001)

(Standard: SSP Option: DSP)

厚度

Thickness (μm)

4.5±0.5; 20±2;

Customized

導電類型

Conduction Type

Un-doped

N-type

High-doped N-type

電阻率 (300K)

Resistivity (Ω·cm

≤0.5

≤0.05

≤0.01

GaN厚度不均勻性

GaN Thickness Uniformity

≤±10% (4")

位錯密度

Dislocation Density (cm-2)

≤5×108

有效面積 Useable Surface Area

90%

包裝

Package

Packaged in a class 100 clean room environment.

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