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東莞市中鎵半導體科學技術有限會社は2009年1月に成立され、広東東莞市で本部を設立し、総登録資本金は1.3億元人民元です。本部で設立した工場、オフィス區域等は合計17000數平方メートル、また、北京で1000平方メートルの大型研究開発センターを設立した。中國國內で初の窒化ガリウム(GaN)基板材料の生産に専念する企業です。

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